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三星研发Exynos数据芯片　抗衡高通、英特尔 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯：高通(Qualcomm)和英特尔(Intel)公开了下载速度最高可达450Mbps的新一代移动装置数据芯片LTEModem，三星电子(SamsungElectronics)也致力于研发次世代ExynosModem产品。三星2015年预计搭载在旗舰智能型手机的Exynos7Octa移动应用处理器(AP)，将支援次世代LTE速度。 据韩国ITToday报导，三星瞄准2015年市场，正全力研发新数据芯片。新芯片为2014年三星LTE下载速度最高支援300Mbps的ExynosModem303的后续作品，三星将加强零组件内化的策略。 高通和英特尔日前公开支援下载速度最高450Mbps、上传100Mbps的次世代通讯芯片，为高通Gobi9x45和英特尔XMM7360，两款数据芯片最大特征在于支援三载波聚合(3CA)。 三载波聚合是将3个LTE频带聚合以达到高速资料传输速率的技术。举例来说，10MHz频带可提供的LTE下载速度最高为75Mbps。若将两个载波聚合在一起，可实现最高150Mbps下载速度。在韩国又以 宽频LTE 的行销用语称之。 高通、英特尔的Gobi9x45和XMM7360为支援高速LTE的次世代芯片，并结合高阶AP。高通预计2015年上半推出的Snapdragon810可望与Gobi9x45结合，将搭载在多家制造厂的旗舰机种上。例如三星电子GalaxyS6(暂名)和乐金电子(LGElectronics)的G4等。 三星更积极研发可实现下载速度450Mbps且支援3CA的数据芯片。三星在高通数据芯片蓝图和LTE单芯片解决方案的攻势下，陷入艰难的处境。2014年三星通过推出ExynosAP、ExynosModem及单芯片ExynosModAp等，架构整合性产品阵容，试图摆脱对高通的依赖。而2015年，三星更有必要集中推动此策略。 三星2014年研发出ExynosAP和ExynosModem303，2015年也将在数据芯片领域加强技术竞争力。同时通过ExynosModAP，加强单芯片解决方案。目前以普及型智能型手机为目标的单芯片解决方案，未来可望再扩大到高阶机种。

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