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三星英特尔跨入代工：未来依靠可穿戴兴起 - OFweek可穿戴设备网

在9月份召开的 SEMICON Taiwan 2014 展览会上，ASML公司的台湾地区销售经理郑国伟透露，第3代极紫外光（EUV）设备已出货6台。郑国伟同时指出，ASML的EUV设备近期取得惊人突破，已有2家客户在以它进行晶圆处理时，测试结果达到每天可曝光超过600片晶圆。 业界消息也印证了郑国伟的讲话：ASML与半导体制造厂共同研发，继7月底英特尔成功利用EUV微影技术，在24小时内完成曝光逾600片晶圆之后，台积电也成功在一天内完成600片晶圆曝光。这个消息在印证郑国伟的讲话的同时，也预示了全球两家顶级大厂未来采用EUV光刻技术，在10nm的量产关键技术选项中几乎同步，或者说台积电在10nm时顺利赶上业界龙头英特尔。 10nm制程的 十字路口 困局是由于光源的功率不足等原因，导致EUV设备一再被推迟，让业界几乎丧失信心。 众所周知，一直以来半导体业界奉行的宝典是每两年跨上一个工艺台阶，即所谓的0.7 制程理论。打个比方，如果说2011年半导体业界跨上了22nm工艺台阶，那么2013年就是22 0.7=14nm。为什么半导体产业界会义无反顾地去遵循这一规律呢？道理十分清楚，尺寸缩小，在同样的芯片面积上晶体管的密度增加一倍，就相当于每个晶体管成本下降50%。 但是，半导体业的前进之路到了28nm之后，就发生了变化。当工艺制程进入22nm/20nm时，成本相比28nm不仅没有下降，反而升高。原因是当工艺尺寸缩小到22nm/20nm时，传统的193nm光刻，包括使用浸液式、OPC等技术已经无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术（Double patterning，缩写为DP）。从原理上讲，DP技术易于理解，甚至可以曝光3次、4次。但是这必将带来两大问题：一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。所以业界心知肚明，在下一代光刻技术EUV尚未成熟之前，采用DP技术是不得已而为之的。 所以全球半导体业界在向14nm制程迈进时，一方面采用DP技术，另一方面为了减少漏电流与功耗，采用新的FinFET结构（注：英特尔在22nm制程时首先采用FinFET工艺）。 至于未来向10nm挺进时，业界一直有争论，一种方案是采用FinFET结构，但是工艺制程上采用DP技术已经不行了，可能必须采用3次或者4次图形曝光技术，另一种方案是等待EUV设备的降临。尽管EUV光刻工艺，从理论上由于曝光波长才13.4nm，在10nm时可以不必采用DP，从而节省成本（注：到了7nm时，即使是EUV也需要采用DP技术）。但是采用EUV相应也会带来产业链的转变，同样非同小可。

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